1月10日，新加坡科學、技術和研究機構（A*STAR）的微電子研究所（IME）和法國半導體材料公司Soitec宣布開展研究合作，開發(fā)下一代碳化硅（SiC）半導體器件，為電動汽車和先進高壓電子設備提供動力。雙方將利用Soitec的專有技術，如Smart Cut?和IME的試驗生產線來制造直徑為200 mm的SiC半導體基板。
（圖片來源：Soitec）
此次聯合研究將有助于開發(fā)一個整體的SiC生態(tài)系統，并提高新加坡和巴黎的半導體制造能力。該研究合作計劃于2024年年中完成，旨在實現：
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開發(fā)用于Smart Cut? SiC基板SiC外延和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）制造工藝，以生產更高質量的微芯片晶體管，并在制造過程中降低不合格率的同時提高產量；
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為在Smart Cut? SiC基板上制造SiC功率MOSFET器件建立基準，并展示該工藝相較于傳統體基板的優(yōu)勢。
Soitec首席技術官兼高級執(zhí)行副總裁Christophe Maleville表示：“此次合作我們將有機會展示SmartSiC基板可擴展到200mm的性能，并為開發(fā)先進的外延解決方案鋪平道路，以生產具有節(jié)能特性的更高質量的SiC晶圓。新加坡的半導體生態(tài)系統將受益于此，從而驗證合理生產的SiC晶圓的卓越能效?！?/P>
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