東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出業界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流(DC)額定值為250A，適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
類似上述的工業應用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產品。然而，預計未來幾年內DC 1500V將得到廣泛應用，因此東芝發布了業界首款2200V產品。
MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V(典型值)的低漏極-源極導通電壓(傳感器)[2]。此外，它還具有較低的開通和關斷損耗，分別為14mJ(典型值)[3]和11mJ(典型值)[3]，與典型的硅(Si)IGBT相比降低了約90%[4]。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現較低的開關損耗，用戶可采用模塊數量更少的兩電平電路取代傳統的三電平電路，有助于設備的小型化。
東芝將不斷創新，持續滿足市場對高效率和工業設備小型化的需求。
● 應用：
工業設備
- 可再生能源發電系統(光伏發電系統等)
- 儲能系統
- 工業設備用電機控制設備
- 高頻DC-DC轉換器等設備
● 特性：
- 低漏極-源極導通電壓(傳感器)：
VDS(on)sense=0.7V(典型值)(ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃)
- 低開通損耗：
Eon=14mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
- 低關斷損耗：
Eoff=11mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
- 低寄生電感：
LsPN=12nH(典型值)
● 主要規格：
(除非另有說明，Ta=25℃)
注：
[1] 采樣范圍僅限于雙SiC MOSFET模塊。數據基于東芝截至2023年8月的調研。
[2] 測量條件：ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃
[3] 測量條件：VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃
[4] 截至2023年8月，東芝對2300V Si模塊和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3開關損耗進行比較(2300V Si模塊的性能值是東芝根據2023年3月或之前發表的論文做出的預估)。
（東芝）
