日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)結構設計，具有高浪涌電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關電源設計能效和可靠性。
日前發布的新一代SiC二極管包括4A至40A器件，采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封裝和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封裝。由于采用MPS結構，器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V，正向壓降與電容電荷乘積，即電源能效重要優值系數(FOM)，相比上一代解決方案降低17%。
與接近的競品解決方案相比，二極管室溫下典型反向漏電流低30%，高溫下低70%。因此降低了導通損耗，確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極管不同，第三代器件幾乎沒有恢復拖尾，從而能夠進一步提升效率。
與擊穿電壓相當的硅二極管相比，SiC二極管熱導率高，反向電流低，反向恢復時間短。二極管反向恢復時間幾乎不受溫度變化的影響，可在+175 °C高溫下工作，不會因開關損耗造成能效變化。
器件典型應用包括發電和勘探應用領域FBPS和LLC轉換器中的AC/DC功率因數校正(PFC)和 DC/DC超高頻輸出整流。器件具有高可靠性，符合RoHS標準，無鹵素，通過2000小時高溫反偏(HTRB)測試和2000次熱循環溫度循環測試，測試時間和循環次數是AEC-Q101規定的兩倍。
新型SiC二極管現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為八周。
（Vishay）
