舊金山, 國際固態(tài)電路會議(ISSCC)——鎧俠株式會社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項尖端3D閃存技術(shù)，憑借4.8Gb/s NAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度，樹立了行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。
兩家公司在2025年國際固態(tài)電路會議上展示了這項3D閃存創(chuàng)新技術(shù)，它與公司突破性的CBA(CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列)技術(shù)1相結(jié)合，采用最新的NAND閃存接口標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR6.0以及SCA(獨立命令地址)協(xié)議2(一種全新的接口命令地址輸入方式)，同時還整合了PI-LTT(電源隔離低抽頭終端)技術(shù)3(在進(jìn)一步降低功耗方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用)。
基于此獨有的高速技術(shù)優(yōu)勢，兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品(BiCS FLASH™ generation 8)實現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升，達(dá)到4.8Gb/s。此外，該技術(shù)也顯著提升了數(shù)據(jù)輸入/輸出的能效，輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，成功實現(xiàn)了高性能與低功耗的最優(yōu)平衡。兩家公司預(yù)展第十代3D閃存(BiCS FLASH™ generation 10)技術(shù)時介紹，通過將存儲層數(shù)增至332層并優(yōu)化晶圓平面布局以提高平面密度，使位密度提升了59%。
鎧俠首席技術(shù)官宮島英史表示：“隨著人工智能技術(shù)的普及，預(yù)計產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將顯著增加，同時現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心對能效提升的需求也在增長。鎧俠深信，這項新技術(shù)將實現(xiàn)更大容量、更高速度和更低功耗的產(chǎn)品，包括用于未來存儲解決方案的SSD產(chǎn)品，并為人工智能的發(fā)展奠定基礎(chǔ)。”
閃迪公司全球戰(zhàn)略與技術(shù)高級副總裁Alper Ilkbahar表示：“隨著人工智能的進(jìn)步，客戶對存儲器的需求日益多樣化。我們通過CBA技術(shù)創(chuàng)新，致力于推出在容量、速度、性能和資本效率方面達(dá)到最佳組合的產(chǎn)品，以滿足各細(xì)分市場客戶的需求。”
鎧俠和閃迪還分享了即將推出的第九代3D閃存(BiCS FLASH™ generation 9)計劃。通過其獨特的CBA技術(shù)，兩家公司能夠?qū)⑿碌腃MOS技術(shù)與現(xiàn)有的存儲單元技術(shù)相結(jié)合，從而提供資本效率高、性能優(yōu)異且功耗低的產(chǎn)品。兩家公司將繼續(xù)致力于開發(fā)前沿閃存技術(shù)，提供定制化解決方案以滿足客戶需求，并為數(shù)字社會的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
（來源：鎧俠）
